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創(chuàng)見MTE460TPCIeM.2SSD搭載PCIegen3x2傳輸接口，采用112層3DNAND閃存，大幅突破單位密度上限，達(dá)到更高的儲(chǔ)存效益。MTE460T搭載30μ"金手指厚金鍍層PCB、邊緣粘合(CornerBond)技術(shù)與抗硫化電阻，強(qiáng)化關(guān)鍵組件保護(hù)，抵御嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用環(huán)境。MTE460T經(jīng)過嚴(yán)格的廠內(nèi)測(cè)試。具備類寬溫特性(-20°C~75°C)，并可依據(jù)客戶需求提供寬溫規(guī)格（-40°C~85°C），在急遽溫差變化下仍能穩(wěn)定運(yùn)作，展現(xiàn)高度可靠性。

創(chuàng)見MTE452T2固態(tài)硬盤搭載PCIegen3x2接口，符合最新NVMe1.3規(guī)范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術(shù)，可堆棧高達(dá)96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達(dá)到更高的儲(chǔ)存效益。創(chuàng)見MTE452T2固態(tài)硬盤內(nèi)置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機(jī)訪問速度，同時(shí)經(jīng)過嚴(yán)格的廠內(nèi)測(cè)試，達(dá)到3K抹寫次數(shù)的耐用度等級(jí)，30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊角粘合(CornerBond)工藝亦提供優(yōu)異可靠的性能。此外，MTE452T2具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務(wù)密集型應(yīng)用的需求。

創(chuàng)見MTE452T固態(tài)硬盤搭載PCIegen3x2接口，符合最新NVMe1.3規(guī)范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術(shù)，可堆棧高達(dá)96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達(dá)到更高的儲(chǔ)存效益。創(chuàng)見MTE452T固態(tài)硬盤內(nèi)建DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機(jī)訪問速度，同時(shí)經(jīng)過嚴(yán)格的廠內(nèi)測(cè)試，達(dá)到3K抹寫次數(shù)的耐用度等級(jí)，優(yōu)異可靠的性能，完美滿足任務(wù)密集型應(yīng)用的需求。

創(chuàng)見M.22230固態(tài)硬盤MTE370T采用最新一代3DNAND技術(shù)，可堆疊高達(dá)112層閃存，大幅突破單位密度上限，達(dá)到更高的儲(chǔ)存效益。MTE370T采用PCIegen3x4接口，符合NVMe1.3規(guī)范，帶來前所未有的傳輸效能；創(chuàng)見MTE370T固態(tài)硬盤經(jīng)過嚴(yán)格的廠內(nèi)測(cè)試，達(dá)到3K抹寫次數(shù)的耐用度等級(jí)，搭配30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊緣粘合(CornerBond)工藝亦提供優(yōu)異可靠的性能。此外，MTE370T具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務(wù)密集型應(yīng)用的需求。

創(chuàng)見單面顆粒MTE352T固態(tài)硬盤搭載PCIegen3x2接口，符合最新NVMe1.3規(guī)范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術(shù)，可堆疊高達(dá)96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆疊，大幅突破單位密度上限，達(dá)到更高的儲(chǔ)存效益。創(chuàng)見MTE352T固態(tài)硬盤具備3K抹寫次數(shù)的耐用度等級(jí)，30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊緣粘合(CornerBond)工藝亦提供優(yōu)異可靠的性能。此外，MTE352T具備類寬溫（-20℃~75℃）特性，完美滿足任務(wù)密集型應(yīng)用的需求。

創(chuàng)見MTE662AM.2固態(tài)硬盤搭載PCIegen3x4接口，符合最新NVMe1.3規(guī)范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術(shù)，可堆疊高達(dá)96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆疊，大幅突破單位密度上限，達(dá)到更高的儲(chǔ)存效益。創(chuàng)見MTE662A固態(tài)硬盤內(nèi)置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機(jī)訪問速度，同時(shí)經(jīng)過嚴(yán)格的廠內(nèi)測(cè)試，達(dá)到3K抹寫次數(shù)的耐用度等級(jí)。MTE662A符合TCGOpal2.0規(guī)范，數(shù)據(jù)可進(jìn)行加密保存與分層管理，確保數(shù)據(jù)安全性。30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊緣粘合(CornerBond)工藝亦提供優(yōu)異可靠的性能。此外，MTE662A具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務(wù)密集型應(yīng)用的需求。

創(chuàng)見MTE662T2固態(tài)硬盤搭載PCIegen3x4接口，符合最新NVMe1.3規(guī)范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術(shù)，可堆棧高達(dá)96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達(dá)到更高的儲(chǔ)存效益。創(chuàng)見MTE662T2固態(tài)硬盤內(nèi)置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機(jī)訪問速度，同時(shí)經(jīng)過嚴(yán)格的廠內(nèi)測(cè)試，達(dá)到3K抹寫次數(shù)的耐用度等級(jí)，30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊角粘合(CornerBond)工藝亦提供優(yōu)異可靠的性能。此外，MTE662T2具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務(wù)密集型應(yīng)用的需求。

創(chuàng)見MTE652T2固態(tài)硬盤搭載PCIegen3x4接口，符合NVMe1.3規(guī)范，展現(xiàn)前所未有的傳輸效能。采用最新一代3D閃存，大幅突破單位密度上限，打造高儲(chǔ)存效益。30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊角粘合(CornerBond)工藝提供絕佳耐用性，并內(nèi)置DRAM高速緩存，加快隨機(jī)訪問速度。此外，MTE652T2固態(tài)硬盤具備類寬溫(-20°C~75°C)特性，賦予其抗熱耐寒表現(xiàn)，并具備3K抹寫次數(shù)的耐用度等級(jí)。

創(chuàng)見MTE662T固態(tài)硬盤搭載PCIegen3x4接口，符合最新NVMe1.3規(guī)范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術(shù)，可堆棧高達(dá)96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達(dá)到更高的儲(chǔ)存效益。創(chuàng)見MTE662T固態(tài)硬盤內(nèi)建DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機(jī)訪問速度，同時(shí)經(jīng)過嚴(yán)格的廠內(nèi)測(cè)試，達(dá)到3K抹寫次數(shù)的耐用度等級(jí)，優(yōu)異可靠的性能，完美滿足任務(wù)密集型應(yīng)用的需求。

創(chuàng)見MTE652T固態(tài)硬盤搭載PCIegen3x4接口，符合最新NVMe1.3規(guī)范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術(shù)，可堆棧高達(dá)96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達(dá)到更高的儲(chǔ)存效益。創(chuàng)見MTE652T固態(tài)硬盤內(nèi)建DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機(jī)訪問速度，同時(shí)經(jīng)過嚴(yán)格的廠內(nèi)測(cè)試，達(dá)到3K抹寫次數(shù)的耐用度等級(jí)，優(yōu)異可靠的性能，完美滿足任務(wù)密集型應(yīng)用的需求。