工業(yè)級固態(tài)硬盤由三個(gè)主要部分組成:控制器、Nand Flash芯片和Dram緩存。每個(gè)部分都很重要。所以，這一次，我們來討論一下工業(yè)級固態(tài)硬盤緩存。

工業(yè)級固態(tài)硬盤有兩種類型的緩存:

傳統(tǒng)DDR緩存  

工業(yè)級固態(tài)硬盤也是一個(gè)簡化的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。是控制它的CPU。一般來說，“緩存”指的是這個(gè)CPU使用的內(nèi)存DRAM。它的主要功能很簡單，就是充當(dāng)數(shù)據(jù)的臨時(shí)存儲(chǔ)。從外面看，好像是數(shù)據(jù)先存儲(chǔ)在這里，再寫入閃存顆粒，所以這個(gè)DRAM就是緩存。很多時(shí)候是DDR3或者DDR4之類的。

SLC緩存(即SLC Cache)  

我們都知道理論上TLC顆粒的讀寫速度比SLC和MLC慢很多，但是為什么TLC顆粒的工業(yè)級固態(tài)硬盤速度在運(yùn)行時(shí)并不比SLC和MLC慢呢？

這是因?yàn)榇蠖鄶?shù)TLC固態(tài)硬盤，其內(nèi)部容量的一部分是通過模擬SLC模式來工作的，這就是SLC緩存。所以當(dāng)TLC固態(tài)硬盤開機(jī)運(yùn)行的時(shí)候，你會(huì)發(fā)現(xiàn)啟動(dòng)很快，但是當(dāng)模擬的SLC模式用完之后，速度會(huì)大大下降，這也是固態(tài)硬盤傳輸大文件時(shí)TLC顆粒明顯的速度下降，這是TLC固態(tài)硬盤的通病。

數(shù)據(jù)從緩存寫入閃存顆粒  

因?yàn)門LC閃存顆粒本身速度比較慢，所以完成這個(gè)任務(wù)需要很長時(shí)間。為了解決TLC工業(yè)級固態(tài)硬盤速度慢的問題，在SSD里面加上一個(gè)小容量的緩存顆粒，即工業(yè)級固態(tài)硬盤緩存，數(shù)據(jù)先寫入緩存。

注意:緩存的有無并不影響工業(yè)級固態(tài)硬盤的壽命，但NAND FLASH寫的次數(shù)決定了工業(yè)級固態(tài)硬盤的壽命。其次，主控芯片的固件算法也是決定工業(yè)級固態(tài)硬盤性能和使用壽命的重要因素。

一般SSD上的緩存都是由一兩個(gè)DRAM顆粒組成，起到數(shù)據(jù)交換的緩沖作用。SSD產(chǎn)品是否有緩存設(shè)計(jì)，往往是廠商根據(jù)產(chǎn)品定位和用途做出的決定。一般一些入門級產(chǎn)品或者低速產(chǎn)品會(huì)設(shè)計(jì)成沒有緩存，而一些高速產(chǎn)品因?yàn)閿?shù)據(jù)交換量大，會(huì)設(shè)計(jì)成有緩存，以提高產(chǎn)品的讀寫效率。